TDKEPCOS薄膜电容, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656A7334J000

TDKEPCOS薄膜电容, MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656A7334J000

聚酯薄膜与聚丙烯薄膜电容的区别
聚酯薄膜电容又称为CL电容，聚丙烯薄膜电容又称为CBB电容，两种单从型号上是很
好区分的。一般聚酯膜电容都是以CL开头，而聚丙烯膜电容以CBB开头。两者都具有自
愈性与无感特性。

两者的主要区别如下：

1. 在高频条件下，CBB电容的稳定性高于CL电容。

2. 在相同的温变条件下，CBB电容容量随着温度变化的范围比CL电容小。

3. CBB电容的损耗比CL电容小，在频率为1kHz的条件下，一般CBB电容损耗角正切值
tanδ为小于0.001，而CL电容的tanδ为小于0.01。

4. CBB电容与CL电容的绝缘性能都特别好，优于其他电容器，而CBB电容的绝缘性能则
比CL电容更佳，比如在容量小于0.33uF时，CBB电容的绝缘电阻大于25000MΩ，而CL
电容则为大于7500 MΩ。

5. 与CBB电容相比，CL电容唯一的优势在于体积小，相同电压，相同容量的情况下，
CL电容的体积可以做得比CBB电容小，这对于一些安装有空间限制的客户还是很受用
的。

由于CBB电容性能更佳，但是价格更贵，因此目前市场上有许多用CL电容冒充CBB
电容，光用目测很难发现二者的不同，推荐以下两种方法供大家参考：

1. 测损耗值，若是小于0.001则为CBB电容，反之则为CL电容。

2. 用手掌型数字电容表和电吹风来进行试验，先把电容器放在电容表上测出冷态电容值，
然后用吹风加热电容器，再测电容值，若电容值变化过大，则为CL电容，反之为CBB电容。

薄膜电容器在不同场合下的作用

薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的电容器，它主要被广泛的使用在模拟信号的交连以及其他电源处。
薄膜电容器的工作原理：
通过在电极上储存电荷储存电能，通常与电感器共同使用形成LC振荡电路，在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存。

薄膜电容器的优点：
在电力电子线路中，薄膜电容主要作用是起着电力电流的一个缓冲以及箝位、谐振旁路以及抑制电源电磁的干扰
把薄膜电容用在旁路时，它的作用是降低直流母线的阻抗以及吸收来自负载的纹波电流，从而起到有效地抑制直流母线电压在因负载突变而出现的波动
当该装置用于谐振式变换器时，它能与电感一起实现谐振的功能
它所适用的温度的范围是比较宽的，受温度的限制比较小
它的使用寿命超长，只要没有损坏，几乎是不会有使用寿命的限制，可以长期一直的使用
它属于金属化电极，具有自愈功能，在有小的损坏时，能够自动修复
在工作时，可以承受很高的电压；在使用时，使用频率特性比较良好

导致薄膜电容器失效的原因：
电容耐压不够导致电压击穿薄膜，导致电容器失效
使用电流超过电容所能承受的大电流，导致电容器失效
电容器里面有空气，导致失效
金属化膜薄氧化，导致电容器失效

薄膜电容器应用时的注意事项
首先要注意仔细观察工作电压的状态，在工作电压非常不稳定时，就先不要使用薄膜电容器，之后再看电压的变化速度，速度比较稳定是即可使用，要满足流过电容器的有效值电流和峰值电流。

TDK成功开发高Q特性的薄膜电容器

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时 TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。

该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。